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3D納米直寫技術(shù)助力任意形貌六方氮化硼(hBN)納米3D結(jié)構(gòu)的制備

信息來源:本站 | 發(fā)布日期: 2021-06-18 07:48:52 | 瀏覽量:943991

摘要:

六方氮化硼(hBN)單晶納米片的原子級(jí)平滑表面,為光電應(yīng)用領(lǐng)域帶來了革 命性的突破。在納米光學(xué)方面,hBN的強(qiáng)非線性、雙曲線色散和單光子發(fā)射等特性,為相應(yīng)的光學(xué)和量子光學(xué)器件帶來一些獨(dú)有性能。在納米電子學(xué)領(lǐng)域,良好的物理,化學(xué)穩(wěn)定性和較寬的禁帶,使hBN成為二維…

六方氮化硼(hBN)單晶納米片的原子級(jí)平滑表面,為光電應(yīng)用領(lǐng)域帶來了革 命性的突破。在納米光學(xué)方面,hBN的強(qiáng)非線性、雙曲線色散和單光子發(fā)射等特性,為相應(yīng)的光學(xué)和量子光學(xué)器件帶來一些獨(dú)有性能。在納米電子學(xué)領(lǐng)域,良好的物理,化學(xué)穩(wěn)定性和較寬的禁帶,使hBN成為二維電子器件的關(guān)鍵材料。目前,對(duì)hBN的研究重點(diǎn)局限于二維扁平結(jié)構(gòu),尚未涉其3D立體結(jié)構(gòu)對(duì)性能的影響。如果能根據(jù)需求對(duì)hBN納米片的高度做出相應(yīng)調(diào)整,將為下一代光電器件中調(diào)節(jié)光子流,電子流和激子流等性能提供一個(gè)有效的方法。   【成果簡(jiǎn)介】 近日,Norris教授課題組利用3D納米直寫技術(shù)和反應(yīng)離子刻蝕的方法制備出可任意調(diào)控形貌的hBN納米3D結(jié)構(gòu)。此類hBN納米3D結(jié)構(gòu)在光電子器件研究領(lǐng)域尚屬首次。得意于3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)(NanoFrazor)在光刻膠上能實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)精度的精確加工,Norris教授課題組運(yùn)用該方法制備了光電子學(xué)相板、光柵耦合器和透鏡等元件。獲得的元件通過后續(xù)組裝過程制備成高穩(wěn)定、高質(zhì)量的光學(xué)微腔結(jié)構(gòu)。隨后,通過縮小圖形長(zhǎng)度比例的方法,引入電子傅里葉曲面,在hBN上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的高精度微納結(jié)構(gòu),展現(xiàn)了NanoFrazor在3D納米加工領(lǐng)域的潛力。< br />< br />
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