日本科學(xué)家成功在氮化硼上生長(zhǎng)出可貼附于任意材料的Fe3O4薄膜

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的突飛猛進(jìn)，電子元件不斷趨向小型化、高速化發(fā)展，因?yàn)檩p薄小巧的可穿戴元件以及可保有高性能且具有柔軟性的可撓式元件成為了最受矚目的電子科技產(chǎn)品。


近年來(lái)，為了將與開(kāi)關(guān)元件相關(guān)的機(jī)能性材料的特性應(yīng)用于穿戴式元件或可撓性元件，對(duì)于可貼附元件的需求不斷增加。另一方面，機(jī)能性氧化物Fe3O4具有電阻、磁化率等電/磁特性在-160℃左右發(fā)生顯著變化的特性，因此在開(kāi)關(guān)元件方面的應(yīng)用研究也持續(xù)推展中。

然而在制作Fe3O4薄膜時(shí)，通常是在氧化鎂等硬質(zhì)基材上生長(zhǎng)薄膜，除了可用于薄膜生長(zhǎng)的基板種類(lèi)有所限制之外，從基板上剝離薄膜并將其貼附到各種場(chǎng)所也很困難。不過(guò)科技在發(fā)展，目前相關(guān)技術(shù)已經(jīng)有了新突破。

據(jù)外網(wǎng)報(bào)道，大阪大學(xué)產(chǎn)業(yè)科學(xué)研究所的研究人員已成功通過(guò)在薄片狀的六方氮化硼(hBN)上生長(zhǎng)磁鐵礦(Fe3O4)薄膜的方式，制作出可貼附于任意材料上的Fe3O4薄膜。通過(guò)該工藝生長(zhǎng)的Fe3O4薄膜不僅原子整齊排列，而且具有優(yōu)異的相轉(zhuǎn)移特性，無(wú)論移動(dòng)、貼附到什么地方，其相轉(zhuǎn)移特性也不會(huì)劣化。


hBN上Fe3O4薄膜的剝離和粘貼示意圖
報(bào)道稱(chēng)，大阪大學(xué)的研究成果可望有助于Fe3O4以外的機(jī)能性氧化物薄膜的自由生長(zhǎng)，使它們也有望應(yīng)用于制作可貼附元件中，這對(duì)機(jī)能性氧化物在穿戴式、可撓式元件領(lǐng)域的應(yīng)用開(kāi)發(fā)具有重要意義。