- 新聞中心
- news Center
- 聯(lián)系我們
- Contact Us
蘇州納樸材料科技有限公司
- 聯(lián)系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手機(jī):
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 郵箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 技術(shù)聯(lián)系人:
徐先生
- Technical Contact:
Mr. Xu
- 手機(jī):
18914050103(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18914050103
(WeChat ID)
- 郵箱:
- E-mail:
nanopure@qq.com
- 辦公室地址:
蘇州市相城區(qū)聚茂街185號(hào)D棟11層1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工廠地址:
江西省吉安市井岡山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
高壓高溫制備高質(zhì)量六方氮化硼單晶 | 進(jìn)展
信息來(lái)源:本站 | 發(fā)布日期: 2024-11-07 13:22:08 | 瀏覽量:9872
高質(zhì)量六方氮化硼(hBN)單晶因具有優(yōu)異的物理化學(xué)特性 ,包括原子級(jí)平坦表面、寬帶隙(~ 5.9 eV)、高絕緣、高面內(nèi)熱導(dǎo)率以及化學(xué)惰性等,被作為襯底和封裝材料廣泛應(yīng)用于二維量子材料體系的構(gòu)筑,是低維材料和物理領(lǐng)域研究新奇物理效應(yīng)和研制高性能電子器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材…
高質(zhì)量六方氮化硼(hBN)單晶因具有優(yōu)異的物理化學(xué)特性 ,包括原子級(jí)平坦表面、寬帶隙(~ 5.9 eV)、高絕緣、高面內(nèi)熱導(dǎo)率以及化學(xué)惰性等,被作為襯底和封裝材料廣泛應(yīng)用于二維量子材料體系的構(gòu)筑,是低維材料和物理領(lǐng)域研究新奇物理效應(yīng)和研制高性能電子器件的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料。此外,hBN在中子探測(cè)器、高效率紫外光源、超低損耗等離激元載體、高效單光子光源、滑移鐵電材料和憶阻器等多個(gè)領(lǐng)域也展現(xiàn)出廣泛應(yīng)用的潛力。目前,國(guó)內(nèi)外二維量子材料研究團(tuán)隊(duì)使用的高質(zhì)量純凈hBN單晶主要來(lái)自日本國(guó)立材料研究所(NIMS)的Kenji Watanabe和Takashi Taniguchi教授團(tuán)隊(duì),他們采用Ba-BN溶劑體系在高溫高壓條件下制備高質(zhì)量的hBN單晶。然而,由于Ba基系統(tǒng)吸水性強(qiáng),暴露在空氣中容易發(fā)生快速氧化,且所用的氮化鋇(Ba 2N 3)前驅(qū)體價(jià)格相對(duì)較高,因此開(kāi)發(fā)新的性質(zhì)穩(wěn)定且成本較低的溶劑體系來(lái)制備高質(zhì)量hBN單晶具有重要意義。
中國(guó)科學(xué)院物理研究所/北京凝聚態(tài)物理國(guó)家研究中心的程金光研究員團(tuán)隊(duì)和東南大學(xué)的萬(wàn)能副研究員團(tuán)隊(duì)等組成的聯(lián)合研究團(tuán)隊(duì),利用物理所先進(jìn)的大腔體多砧高壓高溫合成設(shè)備,經(jīng)過(guò)大量實(shí)驗(yàn)摸索,近期在高質(zhì)量hBN單晶制備方面取得重要進(jìn)展。他們開(kāi)發(fā)了一種新型的低成本Sr基溶劑Sr3B2N4(其成本約為Ba基溶劑的1/20),在4.5GPa和1500℃的高壓高溫條件下成功制備出了hBN單晶,并系統(tǒng)研究了前驅(qū)體中的氧含量對(duì)高質(zhì)量hBN單晶產(chǎn)率的影響。通過(guò)X射線衍射、拉曼光譜、陰極發(fā)光和X射線光電子能譜等一系列的表征,表明該團(tuán)隊(duì)制備的hBN單晶質(zhì)量已達(dá)到與NIMS團(tuán)隊(duì)相當(dāng)?shù)乃健?/strong>
圖 高溫高壓下利用Sr基溶劑體系合成的hBN單晶及其XRD和陰極發(fā)光表征結(jié)果。
該研究探索出一種低成本制備高質(zhì)量hBN單晶的新工藝,填補(bǔ)了我國(guó)在高壓高溫條件下合成高質(zhì)量hBN單晶的空白,為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)大規(guī)模hBN單晶制備和應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。同時(shí)也有助于保障我國(guó)二維量子材料研究中關(guān)鍵基礎(chǔ)材料的自主可控。
相關(guān)成果以“High-Pressure High-Temperature Synthesis of Hexagonal Boron Nitride Single Crystals from a Sr3B2N4 Solvent”為題近期發(fā)表在Crystal Growth & Design上。東南大學(xué)博士研究生田明、物理所博士后王寧寧為論文共同第一作者,東南大學(xué)萬(wàn)能副研究員、物理所程金光研究員為論文共同通訊作者。本工作是在復(fù)旦大學(xué)張遠(yuǎn)波教授的建議下而開(kāi)展的。此外,南京航空航天大學(xué)張玲瓏團(tuán)隊(duì),上海大學(xué)邢娟娟團(tuán)隊(duì)等共同參與本工作,日本國(guó)立材料研究所的Kenji Watanabe和Takashi Taniguchi教授提供了Ba-BN溶劑制備的高質(zhì)量hBN單晶進(jìn)行對(duì)比。該工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃和江蘇省研究生科研實(shí)踐創(chuàng)新計(jì)劃等項(xiàng)目支持。
-
2024-11-15 09:55:56
電子產(chǎn)品越來(lái)越輕薄、越來(lái)越高效,但有一個(gè)問(wèn)題始終困擾著工程師們,那就是——散熱。想象一下,你的手機(jī)芯片堆疊得像摩天大樓一樣,卻只能靠小風(fēng)扇來(lái)“…
-
2024-11-15 09:50:42
正文六方氮化硼納米片(BNNS)具有優(yōu)異的導(dǎo)熱和介電性能,基于BNNS的納米復(fù)合材料在能量存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換、電介質(zhì)和電絕緣以及熱管理等領(lǐng)域表現(xiàn)出很好的應(yīng)用前…
-
2024-11-07 13:22:08
高質(zhì)量六方氮化硼(hBN)單晶因具有優(yōu)異的物理化學(xué)特性 ,包括原子級(jí)平坦表面、寬帶隙(~ 5.9 eV)、高絕緣、高面內(nèi)熱導(dǎo)率以及化學(xué)惰性等,被作為襯底和…
-
2024-10-31 11:10:44
電子產(chǎn)品越來(lái)越輕薄、越來(lái)越高效,但有一個(gè)問(wèn)題始終困擾著工程師們,那就是——散熱。想象一下,你的手機(jī)芯片堆疊得像摩天大樓一樣,卻只能靠小風(fēng)扇來(lái)“…
-
2024-10-24 11:59:53
英國(guó)科學(xué)家破解室溫下量子信息存儲(chǔ)難題】劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)在層狀二維材料六方氮化硼中發(fā)現(xiàn)關(guān)鍵的“單原子缺陷”,能在室溫條件下使量子…
-
2024-10-15 09:49:51
常見(jiàn)的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無(wú)懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn),被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持h…