- 新聞中心
- news Center
- 聯(lián)系我們
- Contact Us
蘇州納樸材料科技有限公司
- 聯(lián)系人:
李女士
- Contact:
Ms. Li
- 手機(jī):
18970647474(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18970647474
(WeChat ID)
- 郵箱:
- E-mail:
2497636860@qq.com
- 技術(shù)聯(lián)系人:
徐先生
- Technical Contact:
Mr. Xu
- 手機(jī):
18914050103(同微信)
- Mobile Phone:
+86-18914050103
(WeChat ID)
- 郵箱:
- E-mail:
nanopure@qq.com
- 辦公室地址:
蘇州市相城區(qū)聚茂街185號(hào)D棟11層1102
- Office Address:
D-1102, 185, Jumao Street, Xiangcheng, Suzhou, Jiansu, China
- 工廠地址:
江西省吉安市井岡山經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)
- Plant Address:
Jinggangshan Economic Development Zone, Ji' an 343000, Jiangxi, China
控制下的自旋缺陷可用于創(chuàng)造量子傳感器技術(shù)的改進(jìn)材料
信息來(lái)源:本站 | 發(fā)布日期: 2021-05-06 08:48:35 | 瀏覽量:960722
一個(gè)國(guó)際研究小組在改進(jìn)量子傳感器技術(shù)的材料方面取得了進(jìn)展。醫(yī)學(xué)、導(dǎo)航和信息技術(shù)在未來(lái)可以從中受益。氮化硼是一種技術(shù)上有趣的材料,因?yàn)樗c其他二維晶體結(jié)構(gòu)非常兼容。因此,它為人工異質(zhì)結(jié)構(gòu)或建立在其上的具有新特性的電子設(shè)備開(kāi)辟了道路。大約一年前,來(lái)自德國(guó)巴…
一個(gè)國(guó)際研究小組在改進(jìn)量子傳感器技術(shù)的材料方面取得了進(jìn)展。醫(yī)學(xué)、導(dǎo)航和信息技術(shù)在未來(lái)可以從中受益。氮化硼是一種技術(shù)上有趣的材料,因?yàn)樗c其他二維晶體結(jié)構(gòu)非常兼容。因此,它為人工異質(zhì)結(jié)構(gòu)或建立在其上的具有新特性的電子設(shè)備開(kāi)辟了道路。
大約一年前,來(lái)自德國(guó)巴伐利亞州維爾茨堡Julius-Maximilians-Universit?t(JMU)物理研究所的一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功地在氮化硼的層狀晶體中創(chuàng)造了自旋缺陷,也被稱(chēng)為量子比特,并通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)它們進(jìn)行了鑒定。
最近,由弗拉基米爾·迪亞科諾夫教授領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)、他的博士生安德烈亞斯·戈特肖爾和小組負(fù)責(zé)人安德烈亞斯·斯佩利希博士成功地邁出了重要的下一步:對(duì)這種自旋缺陷進(jìn)行相干控制,而且甚至是在室溫下。研究人員在具有影響力的《科學(xué)進(jìn)展》雜志上報(bào)告了他們的發(fā)現(xiàn)。盡管發(fā)生了大流行病,但這項(xiàng)工作是在與澳大利亞悉尼科技大學(xué)和加拿大特倫特大學(xué)的團(tuán)體進(jìn)行的密集國(guó)際合作中進(jìn)行的。
JMU的研究人員計(jì)劃實(shí)現(xiàn)這樣一種堆疊結(jié)構(gòu)。它由金屬石墨烯(底部)、絕緣的氮化硼(中間)和半導(dǎo)體的二硫化鉬(頂部)組成。紅點(diǎn)象征著氮化硼層中的一個(gè)單一自旋缺陷。該缺陷可以作為堆棧中的一個(gè)局部探針。
更加精確地測(cè)量局部電磁場(chǎng)
研究人員表示:"我們預(yù)計(jì),具有可控自旋缺陷的材料一旦被用于傳感器,將可以更精確地測(cè)量局部電磁場(chǎng)。"這是因?yàn)楦鶕?jù)定義,它們處于與周?chē)澜绲倪吔缧枰挥成洹?梢韵胂蟮膽?yīng)用領(lǐng)域包括醫(yī)學(xué)成像、導(dǎo)航、任何需要對(duì)電磁場(chǎng)進(jìn)行非接觸式測(cè)量的地方,或者信息技術(shù)領(lǐng)域。
安德烈亞斯·斯佩里希補(bǔ)充說(shuō):"研究界在尋找這方面的最佳材料的工作還沒(méi)有完成,但有幾個(gè)潛在的候選材料。"我們相信,我們找到了一個(gè)新的候選材料,它因其平坦的幾何形狀而脫穎而出,在電子領(lǐng)域提供了最佳的集成可能性。"
巧妙地克服自旋相干時(shí)間的限制
所有關(guān)于氮化硼的自旋敏感實(shí)驗(yàn)都是在JMU進(jìn)行的。"我們能夠測(cè)量特征自旋相干時(shí)間,確定其極限,甚至巧妙地克服這些極限,"博士生和該出版物的第一作者Andreas Gottscholl說(shuō)。自旋相干時(shí)間的知識(shí)對(duì)于估計(jì)自旋缺陷在量子應(yīng)用中的潛力是必要的,而長(zhǎng)的相干時(shí)間是非??扇〉?,因?yàn)槿藗儠?huì)想要·可以進(jìn)行更復(fù)雜的操作。
Gottscholl用簡(jiǎn)化的術(shù)語(yǔ)解釋了這個(gè)原理。"想象一下一個(gè)繞軸旋轉(zhuǎn)的陀螺儀。我們已經(jīng)成功地證明了在氮化硼層中存在這樣的微型陀螺儀。而現(xiàn)在我們已經(jīng)證明了如何控制陀螺儀,也就是說(shuō),例如,在不接觸它的情況下,使其偏轉(zhuǎn)任何角度,最重要的是控制這種狀態(tài)"。
相干時(shí)間對(duì)相鄰的原子層反應(yīng)敏感
對(duì) "陀螺儀"(自旋狀態(tài))的無(wú)接觸操縱是通過(guò)脈沖高頻電磁場(chǎng)--諧振微波實(shí)現(xiàn)的。JMU的研究人員還能夠確定 "陀螺儀"保持其方向的時(shí)間。嚴(yán)格來(lái)說(shuō),偏轉(zhuǎn)角度在這里應(yīng)該被看作是一個(gè)簡(jiǎn)化的說(shuō)明,即一個(gè)量子比特可以承擔(dān)許多不同的狀態(tài),而不是像比特那樣只有0和1。
這與傳感器技術(shù)有什么關(guān)系?晶體中的直接原子環(huán)境影響著被操縱的自旋狀態(tài),并能大大縮短其相干時(shí)間。"我們能夠證明相干性對(duì)與最近的原子和原子核的距離、磁性雜質(zhì)、溫度和磁場(chǎng)的反應(yīng)是多么的極其敏感--因此可以從相干性時(shí)間的測(cè)量中推斷出量子比特的環(huán)境,"Andreas Sperlich解釋說(shuō)。
目標(biāo):帶有自旋裝飾的氮化硼層的電子裝置
JMU團(tuán)隊(duì)的下一個(gè)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)一個(gè)由不同材料組成的人工堆疊的二維晶體,包括一個(gè)自旋成分。后者的基本構(gòu)件是原子薄的氮化硼層,包含具有可訪問(wèn)自旋狀態(tài)的光學(xué)活性缺陷。
在二維設(shè)備中不僅通過(guò)光學(xué),而且通過(guò)電流來(lái)控制自旋缺陷及其周?chē)h(huán)境將是特別有吸引力的。這是一個(gè)全新的領(lǐng)域。
-
2024-11-15 09:55:56
電子產(chǎn)品越來(lái)越輕薄、越來(lái)越高效,但有一個(gè)問(wèn)題始終困擾著工程師們,那就是——散熱。想象一下,你的手機(jī)芯片堆疊得像摩天大樓一樣,卻只能靠小風(fēng)扇來(lái)“…
-
2024-11-15 09:50:42
正文六方氮化硼納米片(BNNS)具有優(yōu)異的導(dǎo)熱和介電性能,基于BNNS的納米復(fù)合材料在能量存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換、電介質(zhì)和電絕緣以及熱管理等領(lǐng)域表現(xiàn)出很好的應(yīng)用前…
-
2024-11-07 13:22:08
高質(zhì)量六方氮化硼(hBN)單晶因具有優(yōu)異的物理化學(xué)特性 ,包括原子級(jí)平坦表面、寬帶隙(~ 5.9 eV)、高絕緣、高面內(nèi)熱導(dǎo)率以及化學(xué)惰性等,被作為襯底和…
-
2024-10-31 11:10:44
電子產(chǎn)品越來(lái)越輕薄、越來(lái)越高效,但有一個(gè)問(wèn)題始終困擾著工程師們,那就是——散熱。想象一下,你的手機(jī)芯片堆疊得像摩天大樓一樣,卻只能靠小風(fēng)扇來(lái)“…
-
2024-10-24 11:59:53
英國(guó)科學(xué)家破解室溫下量子信息存儲(chǔ)難題】劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)在層狀二維材料六方氮化硼中發(fā)現(xiàn)關(guān)鍵的“單原子缺陷”,能在室溫條件下使量子…
-
2024-10-15 09:49:51
常見(jiàn)的六方相氮化硼(hBN)因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無(wú)懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn),被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼(rBN)可以保持h…