六方相-氮化硼(h-BN)二維材料MOCVD制備技術(shù)探索研究招標(biāo)公告

研究目標(biāo)與內(nèi)容：

范德華(vdW)二維異質(zhì)結(jié)不依賴于化學(xué)鍵，也不受限于材料的晶格匹配度，能夠?qū)⒕哂型耆煌阅艿牟牧霞傻揭黄饦?gòu)建全新的界面，有利于創(chuàng)建更廣泛的材料構(gòu)筑單X，實(shí)現(xiàn)多種新型電子X件。實(shí)現(xiàn)vdW二維異質(zhì)結(jié)的前提是研制高性能二維材料。二維材料h-BN具有原子層級(jí)的平X表面、低介電系數(shù)、高化學(xué)和熱穩(wěn)定性、介電強(qiáng)度高等特點(diǎn)，與單層石墨烯等結(jié)合形成vdW異質(zhì)結(jié)，具有雜化等離子-聲子模型的特性，可用于室溫超導(dǎo)體、新型場效應(yīng)管、能量收集器等。基于X在藍(lán)寶石等單晶襯底上開展h-BN材料的生長工藝及各類微結(jié)構(gòu)缺陷的形成演變研究，探索不同生長模式的外延模型及物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)二維h-BN材料的研制；同時(shí)建立h-BN材料質(zhì)量及性能的表征技術(shù)，揭示材料的微觀內(nèi)在特性；并研究GaN HEMT外延材料在二維h-BN表面生長機(jī)理，在h-BN表面實(shí)現(xiàn)高性能GaN HEMT外延材料，為無損vdW襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)及提升GaN微波器件性能奠定材料基礎(chǔ)。

項(xiàng)目指標(biāo)：

（1）二維h-BN材料原子層數(shù)≤5-6層，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.5nm，拉曼光譜E2g模式h-BN半高寬≤X cm-1； （2）在二維h-BN材料表面研制的GaN HEMT外延材料，5μm*5μm AFM表面粗糙度≤0.8nm，2μm厚GaN(X)/(X)晶面x射線雙晶搖擺曲線半高寬X別≤0.X°和≤0.X°，圓片彎曲度Bow≤Xμm，2DEG遷移率≥X cm2/(V·s)。