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氮化硼可制備半導(dǎo)體器件
信息來源：本站 | 發(fā)布日期： 2021-06-03 14:39:24 | 瀏覽量：959565
氮化硼可以應(yīng)用制備半導(dǎo)體元器件上面，最早是日本科學(xué)技術(shù)廳無機(jī)材料研究所利用生長(zhǎng)大的單晶體立方氮化硼(c-BN)的最新技術(shù)成果,成功地制造了世界上第一個(gè)能在650℃溫度下穩(wěn)定工作的p-n結(jié)型二極管。在此之前普遍用的是硅半導(dǎo)體目前廣泛用作電子器件材料,但在200℃以上時(shí)失…
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2024-11-15 09:55:56
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2024-11-15 09:50:42
正文六方氮化硼納米片（BNNS）具有優(yōu)異的導(dǎo)熱和介電性能，基于BNNS的納米復(fù)合材料在能量存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換、電介質(zhì)和電絕緣以及熱管理等領(lǐng)域表現(xiàn)出很好的應(yīng)用前…
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2024-11-07 13:22:08
高質(zhì)量六方氮化硼（hBN）單晶因具有優(yōu)異的物理化學(xué)特性 ，包括原子級(jí)平坦表面、寬帶隙（~ 5.9 eV）、高絕緣、高面內(nèi)熱導(dǎo)率以及化學(xué)惰性等，被作為襯底和…
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2024-10-31 11:10:44
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英國(guó)科學(xué)家破解室溫下量子信息存儲(chǔ)難題】劍橋大學(xué)卡文迪許實(shí)驗(yàn)室的研究團(tuán)隊(duì)在層狀二維材料六方氮化硼中發(fā)現(xiàn)關(guān)鍵的“單原子缺陷”，能在室溫條件下使量子…
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2024-10-15 09:49:51
常見的六方相氮化硼（hBN）因化學(xué)穩(wěn)定、導(dǎo)熱性能好以及表面無懸掛鍵原子級(jí)平整等特點(diǎn)，被視為理想的寬帶隙二維介質(zhì)材料。菱方相氮化硼（rBN）可以保持h…
